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Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
4.5
4.0
I D = 6.2A
2000
3.5
3.0
2.5
2.0
V DD = 5V
V DD = 10V
V DD = 15V
1000
C iss
C oss
1.5
1.0
0.5
0.0
0.0
1.5
3.0
4.5
6.0
7.5
9.0
100
50
0.1
f = 1MHz
V GS = 0V
1
C rss
10
20
10
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
5
30
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
10
10
4
3
V DS = 0V
10
100us
10
10
10
10
10
2
1
0
-1
-2
T J = 150 o C
T J = 25 o C
1
0.1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA = 156 o C/W
T A = 25 o C
1ms
10ms
100ms
1s
10s
DC
10
-3
0
3
6
9
12
15
18
0.01
0.1
1
10
50
V GS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Gate Leakage Current vs Gate to
Source Voltage
1000
V GS = 4.5V
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 10. Forward Bias Safe
Operating Area
SINGLE PULSE
R θ JA = 156 o C/W
T A = 25 o C
100
10
1
10
10
10
10
10
10
10
10
0.5
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 11. Single Pulse Maximum Power Di ssipation
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC637BNZ Rev.C
4
www.fairchildsemi.com
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